华南理工大学2004年电子电路考研试卷

Ⅰ.模拟电路 (共75分)
一 填空题 (每小题1.5分，共15分)
1、晶体管“集一基”极间反向饱和电流为ICBO，则“集一 射”极间的反向饱和电流ICEO为__________________。
2、在BJT三种组态放大电路中，电流放大倍数最高的是________________，输入电阻最小的是_____________.
3、晶体管阻容耦合放大器电路中，高频时放大倍数下降的主要原因是_________的影响；低频时放大倍数下降的主要原因是________________________的影响。
4、一个理想运算放大器的主要条件是：(1)_________, (2)_______, （3）________。理想运放线性应用工作状态的两个重要特性是_____和__________。
5、在桥式整流电路中，负载为纯电阻。如变压器次级交流电压有效值V2=则整流输出直流电压为________，加上滤波电容时为 。
6、N型半导体多数载流子是________，而P型半导体多数载流子是_________。
7、有两个晶体 管，A管β=ICEO=100μA；B管的β=100，ICEO=两管其他参数大致相同，相比较而言___________管比较好。
8、射极输出器的主要特点是(1)_____，(2)______，(3)_____。
9、E-NMOS FET构成的对称差分放大电路，Rd=10kΩ,RL=10kΩ,双端输出方式时, 差模电压增益Avd=100dB；若改接成单端输出方式时, 其差模电压增益Avds1= ___________倍.
10、由集成电路构成的非正弦信号(方波、三角波、锯齿波) 发生电路通常由 电路和 电路组成。

二．两个理想集成运算放大器组成的电路如图题2所示，t＝0时开关断开，u1的波形为方波如图，u2＝－1V ；（
(1) 指出A1、A2分别构成什么电路；
(2) 分别求uo1、uo与u1、u2的关系式；
画出对应的uo1和uo的波形，并标出有关的电压值；